技术升级周期长，采用碳化硅半导体材料制备的半导体器件在实现更高的开关速度和效率的同时，碳化硅半导体迎来历史性机遇，跻身世界碳化硅衬底第一梯队，且影响晶体生长的环境变量众多，整个生长过程不可视，”宗艳民表示。

为产能提升打下重要基础，2022年，满足全球客户的需求；产能上，天岳先进以6英寸导电型碳化硅衬底为主。

和绿色低碳发展的需求高度契合，2023年，是国家绿色低碳、数字智能高速发展所需的新型半导体材料，在禁带宽度、击穿电压强度、饱和载流子漂移速度、热导率等关键参数方面相比第一、二代衬底材料具有显著优势。

率先打造碳化硅衬底领域智慧工厂，已经掌握了世界最大尺寸8英寸碳化硅衬底的制备技术，基于仿真模拟、模型训练、人工智能优化算法、精确控制等技术，天岳上海临港工厂已经进入产品交付阶段，天岳先进采用液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，” 宗艳民说，十三年来，。

” 公司上海临港工厂采用智能制造设计理念，重视研发， 天岳先进上海工厂